| مشخصات مقاله | |
| عنوان مقاله | Design of 0.8–۲٫۷ GHz High Power Class-F Harmonic-Tuned Power Amplifier with Parasitic Compensation Circuit |
| ترجمه عنوان مقاله | طراحی یک تقویت کننده توان کلاس F توان بالا ۰٫۸-۲٫۷GHz با تنظیم هارمونیکی و مدار جبران ساز پارازیتی |
| فرمت مقاله | |
| نوع مقاله | ISI |
| سال انتشار | |
| تعداد صفحات مقاله | ۹ صفحه |
| رشته های مرتبط | مهندسی برق |
| گرایش های مرتبط | الکترونیک، سیستم های قدرت، الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی |
| مجله | قطعات الکترونیکی فعال و منفعل – Active and Passive Electronic Components |
| دانشگاه | دانشکده الکترونیک و اطلاعات، دانشگاه هانگزو دایانزی، چین |
| کد محصول | ۷۶۱۴ |
| نشریه | Hindawi |
| وضعیت ترجمه مقاله | ترجمه آماده این مقاله موجود نمیباشد. میتوانید از طریق دکمه پایین سفارش دهید. |
| دانلود رایگان مقاله | دانلود رایگان مقاله انگلیسی |
| خرید ترجمه این مقاله | خرید ترجمه این مقاله |
| بخشی از متن مقاله: |
| طراحی، ساخت و اندازه گیری یک تقویت کننده قدرت توان بالا HEMT از جنس GaN پهنای گسترده با بازدهی بالا ارایه شده است. اثرات پارازیتی بسته با استفاده از یک مدار جدید جبران ساز به طور عمده کاهش داده می شود تا دقت تطبیق امپدانس افزایش یابد. یک ساختار بهبود یافته بر اساس ساختار کلاس Fمرسوم ارایه شده است که شامل همه ی هارمونیک های زوج و هارمونیک سوم کنترل شده به طور موثری است. همچنین روش تطبیق امپدانس stepped impedance به شبکه کنترل هارمونیک سوم اعمال شده است تا تاثیر مثبتی روی گسترده کردن پهنای باند داشته باشد. ترانزیستور قدرت CGH40025F برای ساختن تقویت کننده توان مورد استفاده قرار گرفته است که در فرکانس های ۰٫۸-۲٫۷GHz کار می کند و توان اشباع اندازه گیری شده ۲۰-۵۰W است و بازدهی درین ۵۲%-۷۶% است و سطح بهره بالای ۱۰dB است. سطوح کاهش یافته هارمونیک دوم و سوم به ترتیب در -۱۶ تا -۳۶dBc و -۱۶ تا -۳۳dBc نگه داشته می شود. نتایج اندازه گیری شده و شبیه سازی تقویت کننده قدرت تطابق خوبی نشان می دهند. |