مقاله انگلیسی رایگان در مورد محاسبات عددی فاکتور حفاظت فیزیکی در زمینه اشعه گاما – IEEE 2017

 

مشخصات مقاله
انتشار مقاله سال 2017
تعداد صفحات مقاله انگلیسی 4 صفحه
هزینه دانلود مقاله انگلیسی رایگان میباشد.
منتشر شده در نشریه IEEE
نوع مقاله ISI
عنوان انگلیسی مقاله Numerical computation of the physical shielding factor for different structures of MOSFET in gamma irradiation field
ترجمه عنوان مقاله محاسبات عددی فاکتور حفاظت فیزیکی ساختار های مختلف MOSFET در زمینه اشعه گاما
فرمت مقاله انگلیسی  PDF
رشته های مرتبط مهندسی برق، فیزیک
گرایش های مرتبط مهندسی الکترونیک، مدارهای مجتمع الکترونیک، الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی، فیزیک کاربردی
مجله سی امین کنفرانس بین المللی میکروالکترونیک – 30th International Conference on Microelectronics
دانشگاه Institute of nuclear sciences “VINČA” – University of Belgrade – Serbia
کد محصول E7653
وضعیت ترجمه مقاله  ترجمه آماده این مقاله موجود نمیباشد. میتوانید از طریق دکمه پایین سفارش دهید.
دانلود رایگان مقاله دانلود رایگان مقاله انگلیسی
سفارش ترجمه این مقاله سفارش ترجمه این مقاله

 

بخشی از متن مقاله:

Abstract:

In this study conducted numerical experiments aimed to determine the physical shielding factors (PSF) for two different MOSFET structures. The purpose of this paper was to present the new possibilities of the Monte Carlo numerical simulations for interaction of gamma irradiation of 60Co and 137Cs with semiconductor devices that are often located as dosimeters together with complex electronics power systems. The transport of incident photon particles is simulated with Monte Carlo code FOTELP-2014. When kovar is used as a lid in the gamma radiation field, the implemented calculations show that the PSF values for the ESAPMOS RADFET structure are significantly higher than the PSF values for the standard MOSFET structure.