| مشخصات مقاله | |
| عنوان مقاله | ۳٫۰-۳٫۶ GHz Wideband, over 46% Average Efficiency GaN Doherty Power Amplifier with Frequency Dependency Compensating Circuits |
| ترجمه عنوان مقاله | تقویت کننده قدرت دوهرتی گالیم نیترید پهنای گسترده ۳-۳٫۶ گیگاهرتز با بازده بالای ۴۶% با مدارهای جبران ساز وابستگی به فرکانس |
| فرمت مقاله | |
| نوع مقاله | ISI |
| سال انتشار | |
| تعداد صفحات مقاله | ۳ صفحه |
| رشته های مرتبط | مهندسی برق |
| گرایش های مرتبط | برق مخابرات و شبکه های مخابراتی |
| مجله | کنفرانس محلی در مورد تقویت کننده های RF / Microwave قدرت برای رادیو و برنامه های بی سیم
RF/Microwave Power Amplifiers for Radio and Wireless Applications |
| دانشگاه | مرکز تحقیق و توسعه فناوری اطلاعات، شرکت برق میتسوبیشی، کاماکورا، ژاپن |
| کلمات کلیدی | پهنای گسترده، تقویت کننده دوهرتی، HEMT گالیم نیترید، ایستگاه پایه، تقویت کننده توان |
| کد محصول | ۷۲۲۰ |
| نشریه | IEEE |
| وضعیت ترجمه مقاله | ترجمه آماده این مقاله موجود نمیباشد. میتوانید از طریق دکمه پایین سفارش دهید. |
| دانلود رایگان مقاله | دانلود رایگان مقاله انگلیسی |
| خرید ترجمه این مقاله | خرید ترجمه این مقاله |
| بخشی از متن مقاله: |
| چکیده
یک تقویت کننده قدرت گالیم نیترید دوهرتی (DPA) برای ایستگاه پایه مخابراتی پیشرفته ۴G/LTE ارایه شده است. برای عبور کردن از محدودیت ذاتی پهنای باند DPA یک مدار جبران ساز وابستگی به فرکانس و المان پارازیتی معکوس کننده بهبود یافته λ⁄۴ ارایه شده است. DPA ارایه شده در فرکانس ۳-۳٫۶ گیگاهرتز و با سیگنال LTE 20 مگاهرتزی بعد از پیش اعوجاج دیجیتال (DPD) دارای بازدهی ۴۵٫۹-۵۰٫۲% و ACLR با -۵۰dBc است، که در ۴G رادیوی چند کاناله و تراکم سیگنال حامل بسیار مناسب است. استفاده از DPA گالیم نیترید پهنای گسترده با بازدهی بالا می تواند پیچیدگی و مصرف انرژی رادیو را کاهش دهد که به کاهش بیشتر هزینه کلی مالکیت (TCO) در ایستگاه پایه می انجامد. |