مقاله انگلیسی رایگان در مورد طراحی و تحلیل عملکرد تونل FET مدوله شده دی الکتریک بر اساس بیوسنسور بدون برچسب – ۲۰۱۹ IEEE

مقاله انگلیسی رایگان در مورد طراحی و تحلیل عملکرد تونل FET مدوله شده دی الکتریک بر اساس بیوسنسور بدون برچسب – ۲۰۱۹ IEEE

 

مشخصات مقاله
ترجمه عنوان مقاله طراحی و تجزیه و تحلیل عملکرد تونل FET مدوله شده دی الکتریک بر اساس بیوسنسور بدون برچسب
عنوان انگلیسی مقاله Design and Performance Analysis of Dielectrically Modulated Doping-less Tunnel FET based Label Free Biosensor
انتشار مقاله سال ۲۰۱۹
تعداد صفحات مقاله انگلیسی ۶ صفحه
هزینه دانلود مقاله انگلیسی رایگان میباشد.
پایگاه داده نشریه IEEE
مقاله بیس این مقاله بیس نمیباشد
نمایه (index) JCR – Master Journal List – Scopus
نوع مقاله ISI
فرمت مقاله انگلیسی  PDF
ایمپکت فاکتور(IF)
۳٫۷۷۹ در سال ۲۰۱۸
شاخص H_index ۱۰۰ در سال ۲۰۱۹
شاخص SJR ۰٫۷۲۶ در سال ۲۰۱۸
شناسه ISSN ۱۵۳۰-۴۳۷X
شاخص Quartile (چارک) Q1 در سال ۲۰۱۸
مدل مفهومی ندارد
پرسشنامه ندارد
متغیر ندارد
رفرنس دارد
رشته های مرتبط مهندسی برق، شیمی
گرایش های مرتبط الکترونیک، مهندسی کنترل، شیمی کاربردی، شیمی فیزیک
نوع ارائه مقاله
ژورنال
مجله  مجله سنسورها – Sensors Journal
دانشگاه Sunny Anand Department of Electronics and Communication Engineering, Amity University, Noida, India
کلمات کلیدی شارژ پلاسما، تونل FET مدوله شده دی الکتریک، بیوسنسور، حساسیت بیومولکول
کلمات کلیدی انگلیسی Charge plasma، Dielectric Modulation Tunnel FET، Biosensor، Biomolecule Sensitivity
شناسه دیجیتال – doi
https://doi.org/10.1109/JSEN.2019.2900092
کد محصول E12747
وضعیت ترجمه مقاله  ترجمه آماده این مقاله موجود نمیباشد. میتوانید از طریق دکمه پایین سفارش دهید.
دانلود رایگان مقاله دانلود رایگان مقاله انگلیسی
سفارش ترجمه این مقاله سفارش ترجمه این مقاله

 

فهرست مطالب مقاله:
Abstract

I- Introduction

II- Device Structure

III- Results And Discussions

IV- Conclusion

References

 

بخشی از متن مقاله:

Abstract

In this work, we have proposed a charge plasma based doping less double gated tunnel FET (DLDGTFET) based biosensor using dielectric modulation with a cavity introduced at the source side for the label free sensing of the biomolecules. These biomolecules are immobilized in the cavity region to induce drain current. The sensing of the biomolecules is based on the drain current of the device while the drain current is based on the dielectric constant and the interfacing charges of the biomolecules. The cavity length is varied between 25 nm and 30 nm and different dielectric constants have been used. The expansion of the cavity length results in slight reduction of the drain current due to lowering of the capacitance. Higher dielectric constants result in better drain current values which leads to an increase in the sensitivity of the device. The maximum sensitivity attained was as high as 1.0×1010. As compared to other transistors, DLDGTFET provides better sensitivity as a biosensor and also the leakage current is low.

INTRODUCTION

LATELY, the field of biosensors has been growing due to its wide range of applications ranging from medical [1] to environmental and agricultural fields. Biosensors based on FETs have been studied due to their various advantages such as low cost and their ability to detect charged biomolecules. FET-based biosensors were popular due to their performance in label-free detection of the biomolecules [2]. Despite being a low cost device, FET based biosensor did not had much applications due to their inability of detecting neutral charged particles. Later on, the dielectrically modulated FET based biosensors were imported to detect both charged and noncharged biomolecules [3]. A cavity was introduced under the gate to immobilize the biomolecules and determine the outcome on the basis of dielectric constant and drain current [4]. The immobilization of the biomolecules causes the electrical parameters to modulate and form a biosensor. However, it has some drawbacks such as scaling, power supply, short channel effects (SCEs) [5, 6], etc.

ثبت دیدگاه