مشخصات مقاله | |
انتشار | مقاله سال 2017 |
تعداد صفحات مقاله انگلیسی | 4 صفحه |
هزینه | دانلود مقاله انگلیسی رایگان میباشد. |
منتشر شده در | نشریه IEEE |
نوع مقاله | ISI |
عنوان انگلیسی مقاله | Numerical computation of the physical shielding factor for different structures of MOSFET in gamma irradiation field |
ترجمه عنوان مقاله | محاسبات عددی فاکتور حفاظت فیزیکی ساختار های مختلف MOSFET در زمینه اشعه گاما |
فرمت مقاله انگلیسی | |
رشته های مرتبط | مهندسی برق، فیزیک |
گرایش های مرتبط | مهندسی الکترونیک، مدارهای مجتمع الکترونیک، الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی، فیزیک کاربردی |
مجله | سی امین کنفرانس بین المللی میکروالکترونیک – 30th International Conference on Microelectronics |
دانشگاه | Institute of nuclear sciences “VINČA” – University of Belgrade – Serbia |
کد محصول | E7653 |
وضعیت ترجمه مقاله | ترجمه آماده این مقاله موجود نمیباشد. میتوانید از طریق دکمه پایین سفارش دهید. |
دانلود رایگان مقاله | دانلود رایگان مقاله انگلیسی |
سفارش ترجمه این مقاله | سفارش ترجمه این مقاله |
بخشی از متن مقاله: |
Abstract: In this study conducted numerical experiments aimed to determine the physical shielding factors (PSF) for two different MOSFET structures. The purpose of this paper was to present the new possibilities of the Monte Carlo numerical simulations for interaction of gamma irradiation of 60Co and 137Cs with semiconductor devices that are often located as dosimeters together with complex electronics power systems. The transport of incident photon particles is simulated with Monte Carlo code FOTELP-2014. When kovar is used as a lid in the gamma radiation field, the implemented calculations show that the PSF values for the ESAPMOS RADFET structure are significantly higher than the PSF values for the standard MOSFET structure. |