مقاله انگلیسی رایگان در مورد پوشش وزنی سیناپسی و پتانسیل خروجی – IEEE 2020

IEEE

 

مشخصات مقاله
ترجمه عنوان مقاله پوشش وزنی سیناپسی و پتانسیل خروجی در ترانزیستورهای عبور سیناپسی
عنوان انگلیسی مقاله Synaptic Weight Coverage and Potential Output in Synaptic Pass-Transistors
انتشار مقاله سال ۲۰۲۰
تعداد صفحات مقاله انگلیسی ۳ صفحه
هزینه دانلود مقاله انگلیسی رایگان میباشد.
پایگاه داده نشریه IEEE
نوع نگارش مقاله
مقاله پژوهشی (Research Article)
مقاله بیس این مقاله بیس نمیباشد
نوع مقاله ISI
فرمت مقاله انگلیسی  PDF
رشته های مرتبط مهندسی برق
گرایش های مرتبط برق قدرت، سیستم های قدرت، برق صنعتی
نوع ارائه مقاله
کنفرانس
مجله / کنفرانس کنفرانس بین المللی درباره الکترونیک، اطلاعات و ارتباطات – International Conference on Electronics, Information, and Communication
دانشگاه  Pusan National University, Pusan, Republic of Korea
کلمات کلیدی  لایه به دام اندازی بار (CTL)، پتانسیل خروجی، ترانزیستور عبور، انعطاف وزنی سیناپسی، ترانزیستور سیناپسی
کلمات کلیدی انگلیسی  Charge trapping layer (CTL), potential output, pass-transistor, synaptic weight plasticity, synaptic transistor
شناسه دیجیتال – doi
https://doi.org/10.1109/ICEIC49074.2020.9051170
کد محصول  E15090
وضعیت ترجمه مقاله  ترجمه آماده این مقاله موجود نمیباشد. میتوانید از طریق دکمه پایین سفارش دهید.
دانلود رایگان مقاله دانلود رایگان مقاله انگلیسی
سفارش ترجمه این مقاله سفارش ترجمه این مقاله

 

فهرست مطالب مقاله:
Abstract

۱- INTRODUCTION

۲- THEORETICAL SYNAPTIC OPERATION

۳- SIMULATIONS AND RESULTS

۴- CONCLUSION

REFERENCES

 

بخشی از متن مقاله:

Abstract

In this work, we present the study on a weight modulation of a synaptic transistor with a charge trapping layer, demonstrating the voltage-to-voltage transfer by employing a load resistor at the output and the pass-transistor operation concept. The synaptic weight as a transfer-efficiency is defined with the synaptic output in terms of the equivalent transistor resistance and load. Since the channel resistance of synaptic transistor can be modulated by the charge trapping, the synaptic plasticity is explained with a relative dominance of the transistor’s resistance with the fixed load resistance. To show the weight modulation following the theoretical analysis, respective simulations for the depression and facilitation are conducted.

INTRODUCTION

A synaptic device is a major component comprising a neuromorphic circuit for a brain-like computing, which mimics a synapse. Here, the connection between neurons is called a synapse, where the action potential transmission is controlled, depending on its signal experiences. The control appears as a variation of synaptic connection strength, i.e. weight [1, 2].

One of the several synaptic devices emulating the biological synapse, a synaptic transistor has the three terminals available for the synaptic input, output, and back-propagation (BP) signal. The experience-based transfer regulation has been demonstrated by inserting an additional insulating layer below the gate metal, where the charges are caught or pushed out depending on an input and back-propagated signal [3,4]. However, the synaptic transistor alone produces the current output. Since a biological synapse transmits the action potential [5, 6], we here provide the analysis and simulations on a synaptic-transistor weight-plasticity with a resistor at the output for the voltage-to-voltage transfer, rather using the current-tovoltage conversion circuit.

ارسال دیدگاه

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *