دانلود رایگان مقالات IEEEدانلود رایگان مقالات پژوهشی برقدانلود رایگان مقالات کنفرانسی برقدانلود رایگان مقاله ISI الکترونیک به زبان انگلیسیدانلود رایگان مقاله ISI الکترونیک قدرت به زبان انگلیسیدانلود رایگان مقاله ISI برق قدرت به زبان انگلیسیدانلود رایگان مقاله ISI سیستم های قدرت به زبان انگلیسیدانلود رایگان مقاله ISI ماشینهای الکتریکی به زبان انگلیسیدانلود رایگان مقاله ISI مهندسی برق به زبان انگلیسی سال 2022 و 2023

مقاله انگلیسی رایگان در مورد مدلسازی فشرده و اثرات اتصال در ترانزیستورهای لایه نازک – IEEE 2014

 

مشخصات مقاله
ترجمه عنوان مقاله مدلسازی فشرده و اثرات اتصال در ترانزیستورهای لایه نازک آلی یا ترانزیستورهای OTFT
عنوان انگلیسی مقاله Compact Modeling and Contact Effects in Thin Film Transistors
انتشار مقاله سال ۲۰۱۴
تعداد صفحات مقاله انگلیسی  ۱۲ صفحه
هزینه دانلود مقاله انگلیسی رایگان میباشد.
پایگاه داده نشریه IEEE
نوع نگارش مقاله
مقاله پژوهشی (Research article)
مقاله بیس این مقاله بیس نمیباشد
نمایه (index) master journals – JCR
نوع مقاله ISI
فرمت مقاله انگلیسی  PDF
ایمپکت فاکتور(IF)
۲٫۶۲۰ در سال ۲۰۱۷
رشته های مرتبط  مهندسی برق
گرایش های مرتبط الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی، مهندسی الکترونیک و برق قدرت
نوع ارائه مقاله
کنفرانس
مجله / کنفرانس IEEE Transactions on Electron Devices
دانشگاه Departamento de Electrónica y Tecnología de los Computadores, Universidad de Granada, Granada, Spain
کلمات کلیدی مدلسازی فشرده، اثرات اتصالی، مدلسازی اتصال، ترانزیستور لایه نازک آلی، ترانزیستورهای آلی، مدلسازی OTFT، ترانزیستورهای لایه نازک
کلمات کلیدی انگلیسی Compact modeling, contact effects, contact modeling, organic thin-film transistor (OTFT), organic transistors, OTFT modeling, thin film transistors
شناسه دیجیتال – doi
https://doi.org/10.1109/TED.2013.2282994
کد محصول E11643
وضعیت ترجمه مقاله  ترجمه آماده این مقاله موجود نمیباشد. میتوانید از طریق دکمه پایین سفارش دهید.
دانلود رایگان مقاله دانلود رایگان مقاله انگلیسی
سفارش ترجمه این مقاله سفارش ترجمه این مقاله

 

فهرست مطالب مقاله:
Abstract
I. Introduction
II. Properties of Metal Contacts
III. Contact Effects in OTFTs
IV. Compact Model for the Contact Region of OTFTs
V. Incorporation in an OTFT Model

 

بخشی از متن مقاله:

Abstract

A compact model for the current-voltage characteristics of organic thin-film transistors (OTFTs), which includes the effects of the contact regions, is proposed. Different physical and morphological aspects of contacts with organic or other emerging materials such as graphene, semiconducting dichalcogenides such as MoS2, or NW devices are described. The electrical behavior of the contacts is studied in OTFTs, and circuit models that describe them are reviewed. Two trends are observed in the current-voltage curves of the contacts of different OTFTs: linear and nonlinear, and different models are used to explain them. A unified model for the contact region that reproduces both trends and gathers the different physical and structural features of the contacts is developed. It is described by a single parameter and introduced in a generic analytical model for TFTs. The variability in OTFT structures, materials, and fabrication approaches gives rise to a strong variability in the values of the parameters of the model. In this regard, a characterization technique to determine the value of the parameters of the model from experimental data is also developed. Different physical tests are proposed to validate the results of the technique. The procedure is applied to recent experimental data for different pentacene-based transistors. The good agreement between the experimental data and our analytical results provides a way to relate the parameters of the model with the physical or geometrical origin of the contact effects in OTFTs.

Introduction

EMERGING technologies based on organic or polymeric materials [1]–[۳], ۲-D materials such as graphene [4], semiconducting dichalcogenides, MoS2 or WSe2 [5], or nanowire (NW) devices [6], are promising solutions in the fields of nanoelectronics, sensing, and photonics. Apart from having common applications, these materials share an additional common feature: the connection to the outer world via metal contacts.

نوشته های مشابه

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

دکمه بازگشت به بالا