دانلود رایگان مقالات الزویر - ساینس دایرکتدانلود رایگان مقالات پژوهشی برقدانلود رایگان مقالات پژوهشی مهندسی انرزیدانلود رایگان مقالات ژورنالی برقدانلود رایگان مقالات ژورنالی مهندسی انرژیدانلود رایگان مقالات سال 2019دانلود رایگان مقاله ISI انرژی های تجدید پذیر به زبان انگلیسیدانلود رایگان مقاله ISI تکنولوژی یا فناوری انرژی به زبان انگلیسیدانلود رایگان مقاله ISI مهندسی انرژی به زبان انگلیسیدانلود رایگان مقاله ISI مهندسی برق به زبان انگلیسی سال 2022 و 2023سال انتشارمقالات Q1 مهندسی انرژی به زبان انگلیسیمقالات Q1 مهندسی برق به زبان انگلیسیمقالات مهندسی انرژی با ایمپکت فاکتور بالا به زبان انگلیسیمقالات مهندسی برق با ایمپکت فاکتور بالا به زبان انگلیسی

مقاله انگلیسی رایگان در مورد گسیلندگی حرارتی سلولهای خورشیدی ناهمگون سیلیکون – الزویر ۲۰۱۹

 

مشخصات مقاله
ترجمه عنوان مقاله گسیلندگی حرارتی سلولهای خورشیدی ناهمگون سیلیکون
عنوان انگلیسی مقاله Thermal emissivity of silicon heterojunction solar cells
انتشار مقاله سال ۲۰۱۹
تعداد صفحات مقاله انگلیسی ۷ صفحه
هزینه دانلود مقاله انگلیسی رایگان میباشد.
پایگاه داده نشریه الزویر
نوع نگارش مقاله
مقاله پژوهشی (Research Article)
مقاله بیس این مقاله بیس نمیباشد
نمایه (index) Scopus – Master Journals List – JCR
نوع مقاله ISI
فرمت مقاله انگلیسی  PDF
ایمپکت فاکتور(IF)
۶٫۱۹۶ در سال ۲۰۱۸
شاخص H_index ۱۶۸ در سال ۲۰۱۹
شاخص SJR ۱٫۶۲۰ در سال ۲۰۱۸
شناسه ISSN ۰۹۲۷-۰۲۴۸
شاخص Quartile (چارک) Q1 در سال ۲۰۱۸
مدل مفهومی ندارد
پرسشنامه ندارد
متغیر ندارد
رفرنس دارد
رشته های مرتبط مهندسی انرژی، برق
گرایش های مرتبط انرژی های تجدیدپذیر، فناوری های انرژی
نوع ارائه مقاله
ژورنال
مجله  مواد انرژی خورشیدی و سلولهای خورشیدی – Solar Energy Materials And Solar Cells
دانشگاه Department of Physics, Imperial College London, London, SW7 2AZ, UK
کلمات کلیدی سلول هاي خورشيدي، سيليكون، گسیلندگی، ناهمگون، مدل سازي
کلمات کلیدی انگلیسی Solar cells، Silicon، Emissivity، Heterojunction، Modelling
شناسه دیجیتال – doi
https://doi.org/10.1016/j.solmat.2019.110051
کد محصول E13245
وضعیت ترجمه مقاله  ترجمه آماده این مقاله موجود نمیباشد. میتوانید از طریق دکمه پایین سفارش دهید.
دانلود رایگان مقاله دانلود رایگان مقاله انگلیسی
سفارش ترجمه این مقاله سفارش ترجمه این مقاله

 

فهرست مطالب مقاله:
Abstract

۱- Introduction

۲- Materials and methods

۳- Modelling

۴- Results

۵- Discussion

۶- Conclusions

References

 

بخشی از متن مقاله:

Abstract

The aim of this work is to evaluate whether silicon heterojunction solar cells, lacking highly emissive, heavily doped silicon layers, could be better candidates for hybrid photovoltaic thermal collectors than standard aluminium-diffused back contact solar cells. To this end, the near and mid infrared emissivity of full silicon heterojunction solar cells, as well as of its constituent materials – crystalline silicon wafer, indium tin oxide, n-, i- and p-type amorphous silicon – have been assessed by means of ellipsometry and FTIR. The experimental results show that the thermal emissivity of these cells is actually as high as in the more traditional structures, ~80% at 8 μm. Detailed optical modelling combining raytracing and transfer matrix formalism shows that the emissivity in these cells originates in the transparent conductive oxide layers themselves, where the doping is not high enough to result in a reflection that exceeds the increased free carrier absorption. Further modelling suggests that it is possible to obtain lower emissivity solar cells, but that a careful optimization of the transparent conductive layer needs to be done to avoid hindering the photovoltaic performance.

Introduction

Thermal emissivity of solar cells is gaining interest both due to its effect on the normal cell operating temperature, and therefore efficiency in the field [1], and due to its effect on the thermal performance of hybrid photovoltaic-thermal (PV-T) collectors [2,3]. We have shown in recent experiments that radiative emissivity of aluminium-diffused back contact solar cells is extremely high, and have deduced from modelling that this originates from the highly doped emitter and back surface field layers [4]. Silicon heterojunctions (SHJ) solar cells offer an excellent opportunity to boost the performance of hybrid PV-T collectors for two reasons. First, their low thermal coefficient of power will help to keep high efficiency at elevated temperatures. The impact of this property in PV-T systems has been analysed in detailed by Mellor et al. [2]. Second, SHJ cells are expected to have lower mid-infrared (MIR) emissivity than the traditional silicon solar cell design as they lack highly doped silicon layers and instead have a front indium tin oxide layer, which is a material often used as a low emissivity coating. In this work we assess the latter hypothesis by measuring the MIR emissivity of a state-of-the-art SHJ solar cell, together with their individual components. Integrated raytracing and transfer-matrix method simulations are used to get further insight into the role and impact of each of the layers that make the structure.

نوشته های مشابه

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

دکمه بازگشت به بالا