مقاله انگلیسی رایگان در مورد تقویت کننده قدرت دوهرتی گالیم نیترید پهنای گسترده ۳-۳٫۶ گیگاهرتز با بازده

samplepic2

 

مشخصات مقاله
عنوان مقاله  ۳٫۰-۳٫۶ GHz Wideband, over 46% Average Efficiency GaN Doherty Power Amplifier with Frequency Dependency Compensating Circuits
ترجمه عنوان مقاله  تقویت کننده قدرت دوهرتی گالیم نیترید پهنای گسترده ۳-۳٫۶ گیگاهرتز با بازده بالای ۴۶% با مدارهای جبران ساز وابستگی به فرکانس
فرمت مقاله  PDF
نوع مقاله  ISI
سال انتشار

مقاله سال ۲۰۱۷

تعداد صفحات مقاله  ۳ صفحه
رشته های مرتبط مهندسی برق
گرایش های مرتبط  برق مخابرات و شبکه های مخابراتی
مجله  کنفرانس محلی در مورد تقویت کننده های RF / Microwave قدرت برای رادیو و برنامه های بی سیم

RF/Microwave Power Amplifiers for Radio and Wireless Applications

دانشگاه  مرکز تحقیق و توسعه فناوری اطلاعات، شرکت برق میتسوبیشی، کاماکورا، ژاپن
کلمات کلیدی  پهنای گسترده، تقویت کننده دوهرتی، HEMT گالیم نیترید، ایستگاه پایه، تقویت کننده توان
کد محصول  ۷۲۲۰
نشریه   IEEE
وضعیت ترجمه مقاله  ترجمه آماده این مقاله موجود نمیباشد. میتوانید از طریق دکمه پایین سفارش دهید.
دانلود رایگان مقاله دانلود رایگان مقاله انگلیسی
خرید ترجمه این مقاله خرید ترجمه این مقاله

 

بخشی از متن مقاله:
چکیده

یک تقویت کننده قدرت گالیم نیترید دوهرتی (DPA) برای ایستگاه پایه مخابراتی پیشرفته  ۴G/LTE ارایه شده است. برای عبور کردن از محدودیت ذاتی پهنای باند DPA یک مدار جبران ساز وابستگی به فرکانس و المان پارازیتی معکوس کننده بهبود یافته λ⁄۴ ارایه شده است. DPA ارایه شده در فرکانس ۳-۳٫۶ گیگاهرتز و با سیگنال LTE 20  مگاهرتزی بعد از پیش اعوجاج دیجیتال (DPD) دارای بازدهی ۴۵٫۹-۵۰٫۲% و ACLR با -۵۰dBc است، که در ۴G رادیوی چند کاناله و تراکم سیگنال حامل بسیار مناسب است. استفاده از DPA گالیم نیترید پهنای گسترده با بازدهی بالا می تواند پیچیدگی و مصرف انرژی رادیو را کاهش دهد که به کاهش بیشتر هزینه کلی مالکیت (TCO) در ایستگاه  پایه می انجامد.

ارسال دیدگاه

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *