| مشخصات مقاله | |
| عنوان مقاله | 3.0-3.6 GHz Wideband, over 46% Average Efficiency GaN Doherty Power Amplifier with Frequency Dependency Compensating Circuits |
| ترجمه عنوان مقاله | تقویت کننده قدرت دوهرتی گالیم نیترید پهنای گسترده 3-3.6 گیگاهرتز با بازده بالای 46% با مدارهای جبران ساز وابستگی به فرکانس |
| فرمت مقاله | |
| نوع مقاله | ISI |
| سال انتشار | |
| تعداد صفحات مقاله | 3 صفحه |
| رشته های مرتبط | مهندسی برق |
| گرایش های مرتبط | برق مخابرات و شبکه های مخابراتی |
| مجله | کنفرانس محلی در مورد تقویت کننده های RF / Microwave قدرت برای رادیو و برنامه های بی سیم
RF/Microwave Power Amplifiers for Radio and Wireless Applications |
| دانشگاه | مرکز تحقیق و توسعه فناوری اطلاعات، شرکت برق میتسوبیشی، کاماکورا، ژاپن |
| کلمات کلیدی | پهنای گسترده، تقویت کننده دوهرتی، HEMT گالیم نیترید، ایستگاه پایه، تقویت کننده توان |
| کد محصول | 7220 |
| نشریه | IEEE |
| وضعیت ترجمه مقاله | ترجمه آماده این مقاله موجود نمیباشد. میتوانید از طریق دکمه پایین سفارش دهید. |
| دانلود رایگان مقاله | دانلود رایگان مقاله انگلیسی |
| خرید ترجمه این مقاله | خرید ترجمه این مقاله |
| بخشی از متن مقاله: |
| چکیده
یک تقویت کننده قدرت گالیم نیترید دوهرتی (DPA) برای ایستگاه پایه مخابراتی پیشرفته 4G/LTE ارایه شده است. برای عبور کردن از محدودیت ذاتی پهنای باند DPA یک مدار جبران ساز وابستگی به فرکانس و المان پارازیتی معکوس کننده بهبود یافته λ⁄4 ارایه شده است. DPA ارایه شده در فرکانس 3-3.6 گیگاهرتز و با سیگنال LTE 20 مگاهرتزی بعد از پیش اعوجاج دیجیتال (DPD) دارای بازدهی 45.9-50.2% و ACLR با -50dBc است، که در 4G رادیوی چند کاناله و تراکم سیگنال حامل بسیار مناسب است. استفاده از DPA گالیم نیترید پهنای گسترده با بازدهی بالا می تواند پیچیدگی و مصرف انرژی رادیو را کاهش دهد که به کاهش بیشتر هزینه کلی مالکیت (TCO) در ایستگاه پایه می انجامد. |