مقاله انگلیسی رایگان در مورد طراحی latch چفت شده تشعشع قابل اطمینان ( الزویر )

elsevier

 

مشخصات مقاله
عنوان مقاله  Low cost and highly reliable radiation hardened latch design in 65 nm CMOS technology
ترجمه عنوان مقاله  طراحی یک latch چفت شده کم هزینه و با تشعشع قابل اطمینان بالا توسط فناوری ۶۶ nm CMOS
فرمت مقاله  PDF
نوع مقاله  ISI
سال انتشار  مقاله سال ۲۰۱۵
تعداد صفحات مقاله  ۱۰ صفحه
رشته های مرتبط  مهندسی برق
گرایش های مرتبط  افزاره های میکرو و نانو الکترونیک، مهندسی الکترونیک و مکاترونیک
مجله  اعتبار میکرو الکترونیک – Microelectronics Reliability
دانشگاه  مرکز میکروالکترونیک، مؤسسه فناوری هاربین، چین
کلمات کلیدی  لنز سخت رادیاتور، قابلیت اطمینان، SEU، گذار تک رویداد (SET)
کد محصول  ۷۱۵۳
نشریه  نشریه الزویر
لینک مقاله در سایت مرجع  لینک این مقاله در سایت الزویر (ساینس دایرکت) Sciencedirect – Elsevier
وضعیت ترجمه مقاله  ترجمه آماده این مقاله موجود نمیباشد. میتوانید از طریق دکمه پایین سفارش دهید.
دانلود رایگان مقاله دانلود رایگان مقاله انگلیسی
خرید ترجمه این مقاله خرید ترجمه این مقاله

 

بخشی از متن مقاله:
خلاصه
از انجاییکه فناوری در حال کاهش سطح مقیاس عناصر و المان ها است، خازن گیت (Gate Capacitance) و شارژ ذخیره شده در نود ها (گره – نقاط) حساس به سرعت در حال کاهش است که سبب می شود مدار های CMOS به تشعشع (تابش) ایجاد شده توسط خطا های نرم (کم شدت) بسیار اسیب پذیر باشند. در این مقاله یک latch چفت شده (hardened) کم هزینه و با تشعشع با قابلیت اطمینان بالا با استفاده از فناوری تجاری ۶۵ nm CMOS پیشنهاد داده شده است. این latch پیشنهادی می تواند به طور کامل اشفتگی رویداد منفرد (SEU) را هنگامی که ذره با یکی از نود هایش برخورد می کند به طور کامل تحمل می کند. علاوه بر این latch پیشنهادی می تواند به طور موثری گذرایی رخداد منفرد (SET) ورودی را پوشش دهد (بپوشاند). مجموعه ای از شبیه سازی های HSPICE پس از اتمام طراحی به منظور ارزیابی مدار latch پیشنهادی و همچنین مدار های latch طراحی شده قبلی در مقالات انجام شده است و نتایج مقایسه ای ان ها در میان latch های نوع ۴ نشان می دهد که latch پیشنهادی حداقل به میزان ۳۹ درصد در مصرف توان صرفه جویی می کند و همچنین به میزان ۶۷٫۶ درصد از محصول تاخیر توان می کاهد. علاوه بر این latch پیشنهادی دارای رتبه دوم از نظر کمترین میزان سربار محیطی است و امکان رقابت با latch های نوع ۴ را از نظر تحمل چندین اشتفتگی رخداد منفرد (SEMU) دارد. در نهایت تاثیرات پردازش، ولتاژ منبع تغذیه و تغییرات درجه حرارت بر روی latch پیشنهادی و همچنین latch های پیشین مورد بررسی قرار گرفته است.

ارسال دیدگاه

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *