دانلود رایگان مقالات IEEEدانلود رایگان مقالات ژورنالی برقدانلود رایگان مقالات سال 2019دانلود رایگان مقاله ISI الکترونیک به زبان انگلیسیدانلود رایگان مقاله ISI مخابرات نوری به زبان انگلیسیدانلود رایگان مقاله ISI مهندسی برق به زبان انگلیسی سال 2022 و 2023سال انتشارمقالات Q1 مهندسی برق به زبان انگلیسیمقالات مهندسی برق با ایمپکت فاکتور بالا به زبان انگلیسی

مقاله انگلیسی رایگان در مورد خواص نوری لایه نازک تیتانات زیرکونیوم به وسیله واکنش گر ماگنترونی جریان مستقیم – ۲۰۱۹ IEEE

 

مشخصات مقاله
ترجمه عنوان مقاله خواص نوری و دی الکتریک لایه نازک تیتانات زیرکونیوم به وسیله واکنش گر Co-Sputtering ماگنترونی جریان مستقیم
عنوان انگلیسی مقاله Dielectric and Optical Properties of Zirconium Titanate Thin Films by Reactive DC Magnetron Co-Sputtering
انتشار مقاله سال ۲۰۱۹
تعداد صفحات مقاله انگلیسی ۵ صفحه
هزینه دانلود مقاله انگلیسی رایگان میباشد.
پایگاه داده نشریه IEEE
مقاله بیس این مقاله بیس نمیباشد
نمایه (index) JCR – Master Journal List – Scopus
نوع مقاله ISI
فرمت مقاله انگلیسی  PDF
ایمپکت فاکتور(IF)
۲٫۷۶۱ در سال ۲۰۱۸
شاخص H_index ۱۰۱ در سال ۲۰۱۹
شاخص SJR ۰٫۶۸۲ در سال ۲۰۱۸
شناسه ISSN ۱۰۷۰-۹۸۷۸
شاخص Quartile (چارک) Q1 در سال ۲۰۱۸
مدل مفهومی ندارد
پرسشنامه ندارد
متغیر ندارد
رفرنس دارد
رشته های مرتبط برق
گرایش های مرتبط مهندسی الکترونیک، مخابرات نوری
نوع ارائه مقاله
ژورنال
مجله  معاملات در مورد دی الکتریک و عایق الکتریکی – Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation
دانشگاه Materials research laboratory, Dept. of Physics, Sri Krishnadevaraya University, Anantapuramu-515003, A.P., India
کلمات کلیدی لایه نازک زیرکونیوم تیتانات، Co-Sputtering ماگنترونی جریان مستقیم، زیرلایه آلومینا و دمای بستر ۱۹
کلمات کلیدی انگلیسی Zirconium titanate thin films، DC magnetron reactive co-sputtering، ۱۹ alumina substrate and substrate temperature
شناسه دیجیتال – doi
https://doi.org/10.1109/TDEI.2019.007887
کد محصول E12928
وضعیت ترجمه مقاله  ترجمه آماده این مقاله موجود نمیباشد. میتوانید از طریق دکمه پایین سفارش دهید.
دانلود رایگان مقاله دانلود رایگان مقاله انگلیسی
سفارش ترجمه این مقاله سفارش ترجمه این مقاله

 

فهرست مطالب مقاله:
Abstract

۱- Introduction

۲- Experimental Details

۳- Results and Discussion

۴- Conclusions

References

 

بخشی از متن مقاله:

ABSTRACT

Zirconium titanate thin films were deposited on alumina substrates by DC magnetron reactive co-sputtering by varying substrate temperature and the effects of substrate temperature on optical and dielectric properties of the films have been studied intensively by available characterization techniques. The optical parameters were determined by Swanepoel’s method. The films exhibited high transmittance in the visible region and the optical band gap of the films varied from 3.1 to 2.8 eV as the temperature varied from 33 to 400o C. The film deposited at room temperature exhibit a high transmittance of 71%. Dielectric constant measurements have been carried out at 10 GHz of frequency. The dielectric constant increased with increase in temperature and the film deposited at 400o C exhibited a high dielectric constant (40) and a low dielectric loss (0.026).

INTRODUCTION

HIGH-K dielectric materials find applications in dielectric resonators, filters, gate dielectrics, phase shifters, voltage tunable oscillators and dynamic random access memories [1]. Owing to their high dielectric constant, high quality factor, high temperature stability besides good optical properties Zirconium titanate (ZTO) and ZTO based materials act as potential candidates for microwave dielectrics [2-4] and also find applications in mid-infrared integrated photonics as well [5]. There are reports on the effects of processing parameters like substrate temperature [6], annealing temperature [7, 8] and partial pressure ratios of sputtering and reactive gases [4] on the dielectric properties of ZTO films. Some of the authors described correlation of processing parameters and film properties. Kim et al reported the effects of thickness on dielectric behavior of ZTO thin films fabricated by sol-gel process [9]. Kim et al demonstrated effects of microstructures on microwave dielectric properties of ZTO thin films [10]. Victor et al reported the significance of amorphous ZTO thin films and the dielectric relaxation phenomenon in these films [11]. Kim et al correlated strain and dielectric properties of ZTO thin films [1]. Kim et al described effects of substrate temperature on physical and dielectric properties of ZTO thin films in the MHz to GHz range by measuring dielectric constant in the range of 2 to 6 GHz [6, 10].

نوشته های مشابه

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

دکمه بازگشت به بالا