مقاله انگلیسی رایگان در مورد توصیف دینامیک فاصله رابط ترانزیستور مسئول هیسترزیس ( الزویر )

elsevier

 

مشخصات مقاله
عنوان مقاله  Characterization of interface trap dynamics responsible for hysteresis in organic thin-film transistors
ترجمه عنوان مقاله  توصیف دینامیک فاصله کوچک ( تله) رابط در ترانزیستور های آلی نازک لایه، به عنوان مسئول ایجاد هیسترزیس
فرمت مقاله  PDF
نوع مقاله  ISI
سال انتشار  مقاله سال ۲۰۱۵
تعداد صفحات مقاله  ۵ صفحه
رشته های مرتبط  مهندسی برق
گرایش های مرتبط  الکترونیک قدرت وماشینهای الکتریکی ، مهندسی الکترونیک و برق قدرت
مجله  الکترونیک ارگانیک – Organic Electronics
دانشگاه  گروه مهندسی الکترونیک و کامپیوتر، دانشگاه علم و صنعت هنگ کنگ
کلمات کلیدی  ترانزیستورهای فیلم نازک آلی، هیسترزیس، دامنه رابط، مشخصه
کد محصول  ۷۰۷۲
نشریه  نشریه الزویر
لینک مقاله در سایت مرجع  لینک این مقاله در سایت الزویر (ساینس دایرکت) Sciencedirect – Elsevier
وضعیت ترجمه مقاله  ترجمه آماده این مقاله موجود نمیباشد. میتوانید از طریق دکمه پایین سفارش دهید.
دانلود رایگان مقاله دانلود رایگان مقاله انگلیسی
خرید ترجمه این مقاله خرید ترجمه این مقاله

 

بخشی از متن مقاله:
چکیده

در این مقاله ، هیسترزیس جریانی ترانزیستور های آلی نازک لایه ( OTFT ) ساخته شده با TIPS-Pentacene ، با استفاده از پویش های دو طرفه ولتاژ گیت نشان داده شده و با استفاده از روش های تله گذاری و یا رها سازی الکترون ها ، توضیح داده شده است. نرخ حبس و یا رها سازی نیز توسط نمونه گیری ولتاژ گیت و روش پمپ بار کانال ، تایید شده است. اعتبار روش ها برای توصیف وضعیت های سطح واسط OTFT ها که موجب هیسترزیس میشود نیز مورد بررسی قرار گرفته است. دو روش مستقل نیز بدون تناقض تایید میکنند که تله گذاری حفره ها و نرخ آزاد سازی در سطح رابط بین کانال OTFT به دی الکتریک گیت ، نا متقارن است.

ارسال دیدگاه

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *